一種降低晶圓應(yīng)力的屏蔽柵溝槽MOSFET的掩膜版

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020766860.7 申請日 -
公開（公告）號 CN212209483U 公開（公告）日 2020-12-22
申請公布號 CN212209483U 申請公布日 2020-12-22
分類號 H01L25/07(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳橋梁;劉挺;王新;樓穎穎;楊樂 申請（專利權(quán)）人 旭矽半導(dǎo)體（上海）有限公司
代理機構(gòu) 西安新思維專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 龍騰半導(dǎo)體股份有限公司;旭矽半導(dǎo)體（上海）有限公司
地址 710018陜西省西安市未央?yún)^(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳城十二路1號出口加工區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種降低晶圓應(yīng)力的屏蔽柵溝槽MOSFET的掩膜版，所述掩膜版包含由不同走向溝槽的芯片組成的芯片矩陣；所述芯片矩陣內(nèi)包含兩種芯片，其芯片尺寸面積和設(shè)計相同，僅溝槽走向不同，兩者的溝槽走向相互垂直。本實用新型將晶圓生產(chǎn)中產(chǎn)生的應(yīng)力通過不同圖形的排布相互抵消，實現(xiàn)較少減薄至200微米以下時，晶圓水平方向的翹曲度，便于后續(xù)的晶圓封裝和晶圓測試的自動化作業(yè)，減少碎片引入的損失和沾污。??