金屬氧化物半導體晶體管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711364966.3 申請日 -
公開（公告）號 CN108110050A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN108110050A 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 深圳市晶特智造科技有限公司
代理機構 深圳市蘭鋒知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 曹明蘭
地址 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道和平社區(qū)駿豐工業(yè)區(qū)A3棟一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種金屬氧化物半導體晶體管。所述金屬氧化物半導體晶體管包括P型阱區(qū)、形成于所述P型阱區(qū)表面的源區(qū)與漏區(qū)、形成于所述源區(qū)與漏區(qū)上及所述P型阱區(qū)上的柵極氧化層、形成于所述柵極氧化層上的柵極多晶硅及形成于所述柵極多晶硅表面的多晶氧化層，所述柵極多晶硅包括至少部分位于所述源區(qū)的柵極氧化層上方的第一部分、至少部分位于所述漏區(qū)的柵極氧化層上方的第二部分、及連接于所述第一部分與第二部分之間的第三部分，所述第三部分包括迂回結構，使得所述迂回結構的長度大于所述第一部分與所述第二部分之間的距離。