金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711422725.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108133964B 公開(kāi)（公告）日 2021-10-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN108133964B 申請(qǐng)公布日 2021-10-29
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳市晶特智造科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 鄭州宏海知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊翱翔
地址 464000 河南省信陽(yáng)市固始縣陳淋子鎮(zhèn)史河灣產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)19號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法。所述制作方法獲得的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括襯底、在襯底表面的兩端形成的淺溝道隔離結(jié)構(gòu)、在襯底中間區(qū)域表面形成的柵介質(zhì)層、在柵介質(zhì)層兩端形成的側(cè)墻、在側(cè)墻下方的柵介質(zhì)層下方的襯底上形成的輕摻雜漏極區(qū)域，在輕摻雜漏極區(qū)域與淺溝道隔離結(jié)構(gòu)之間的襯底表面形成的源漏區(qū)、在源漏區(qū)及淺溝道隔離結(jié)構(gòu)上形成的第一介質(zhì)層、在第一介質(zhì)層上形成的第二介質(zhì)層、第二介質(zhì)層及側(cè)墻圍成的溝槽、形成于溝槽側(cè)壁的功函數(shù)層、形成功函數(shù)層表面且填充于溝槽中的金屬柵層，其中，溝槽包括位于側(cè)墻之間的截面為矩形的部分及位于第二介質(zhì)層中截面為倒梯形的部分。