超結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711328190.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108110057B 公開(kāi)（公告）日 2021-11-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN108110057B 申請(qǐng)公布日 2021-11-05
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市晶特智造科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳峰誠(chéng)志合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明香
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道和平社區(qū)駿豐工業(yè)區(qū)A3棟一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種超結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所述晶體管劃分為有源區(qū)域及位于有源區(qū)域外圍的耐壓區(qū)域，所述耐壓區(qū)域劃分鄰近所述有源區(qū)域的過(guò)渡區(qū)域及位于所述過(guò)渡區(qū)域外圍的終端區(qū)域，所述晶體管還包括N型襯底、位于所述N型襯底上的N型外延層、位于所述耐壓區(qū)域的N型外延層表面的P型摻雜結(jié)、位于所述過(guò)渡區(qū)域的N型外延層中的連接所述P型摻雜結(jié)底部且朝向所述N型襯底延伸的第一P型摻雜區(qū)、位于所述終端區(qū)域的P型摻雜結(jié)下方的N型外延層中的沿著平行于所述N型襯底的方向延伸的第二P型摻雜區(qū)。