雙極晶體管的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711366210.2 申請日 -
公開（公告）號 CN108109913B 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN108109913B 申請公布日 2021-08-31
分類號 H01L21/331;H01L29/735 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 深圳市晶特智造科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳峰誠志合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明香
地址 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道和平社區(qū)駿豐工業(yè)區(qū)A3棟一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種雙極晶體管及的制作方法包括：提供P型襯底，形成N型埋層、N型外延層；在所述N型外延層上形成氧化硅層，形成貫穿所述氧化硅層的開口；在所述開口的側(cè)壁形成氮化硅側(cè)墻，使得所述氮化硅側(cè)墻圍成第一刻蝕窗口；利用所述第一刻蝕窗口進(jìn)行光刻及刻蝕形成貫穿所述N型外延層及所述N型埋層并延伸至所述P型襯底中的隔離溝槽；在所述隔離溝槽中形成氧化物；對所述氧化硅層進(jìn)行光刻及刻蝕，形成由所述氮化硅側(cè)墻與氧化硅層圍成的第二刻蝕窗口；利用所述第二刻蝕窗口對所述N型外延層進(jìn)行光刻及刻蝕，從而形成貫穿所述N型外延層并延伸至所述N型埋層中的N阱溝槽；去除所述氧化硅層及氮化硅側(cè)墻，在所述N阱溝槽中填充多晶硅從而形成N型阱區(qū)。