疊加三維晶體管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711317038.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108109965B 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN108109965B 申請公布日 2021-06-11
分類號 H01L21/822;H01L21/8234 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 深圳市晶特智造科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳峰誠志合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明香
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)瓊宇路2號特發(fā)信息科技大廈15樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種疊加三維晶體管的制作方法，包括：提供SOI基底，所述SOI基底包括背襯底、氧化埋層和頂層硅；對所述SOI基底進(jìn)行刻蝕來形成疊加鰭部結(jié)構(gòu)；在所述背襯底形成絕緣材料，所述絕緣材料包圍所述疊加鰭部結(jié)構(gòu)；對所述絕緣材料進(jìn)行刻蝕，以使所述疊加鰭部結(jié)構(gòu)暴露出來并在所述背襯底表面形成絕緣層；在所述疊加鰭部結(jié)構(gòu)表面形成柵介質(zhì)層；在所述柵介質(zhì)層周圍形成柵極。本發(fā)明還提供一種根據(jù)上述制作方法制作而成的疊加三維晶體管。本發(fā)明挺的疊加三維晶體管及其制作方法可以提高半導(dǎo)體芯片的器件集成度并有效降低成本。