溝槽型聯(lián)柵晶體管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711423827.3 申請日 -
公開（公告）號 CN108155244B 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN108155244B 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L29/786（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 深圳市晶特智造科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳峰誠志合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明香
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道和平社區(qū)駿豐工業(yè)區(qū)A3棟一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種溝槽型聯(lián)柵晶體管及其制作方法。所述溝槽型聯(lián)柵晶體管包括N型襯底、在所述N型襯底上形成的N型外延層、在所述N型外延層表面形成的P型基區(qū)、貫穿所述P型基區(qū)的多個溝槽、在所述多個溝槽內(nèi)壁形成的P型高摻雜區(qū)、在所述P型基區(qū)及所述P型高摻雜表面形成的TEOS氧化層、貫穿所述TEOS氧化層且對應(yīng)所述P型基區(qū)的開口、形成于所述溝槽中與所述開口中的多晶硅、在所述P型基區(qū)的表面形成的N型區(qū)域、在所述TEOS氧化層、所述P型高摻雜區(qū)及所述多晶硅上形成的正面金屬、及在所述N型襯底遠(yuǎn)離所述N型外延層一側(cè)形成的背面金屬。