溝槽型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711397391.5 申請日 -
公開（公告）號 CN108054210B 公開（公告）日 2021-10-26
申請公布號 CN108054210B 申請公布日 2021-10-26
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/49（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 深圳市晶特智造科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳峰誠志合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明香
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道和平社區(qū)駿豐工業(yè)區(qū)A3棟一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種溝槽型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法包括以下步驟：提供N型襯底，在所述N型襯底上依序形成N型外延層、P型體區(qū)、第一溝槽及第二溝槽；在所述第一及第二溝槽中的柵氧化層上及所述P型體區(qū)上形成多晶硅；對所述多晶硅進行熱處理，使得所述多晶硅中的N型雜質(zhì)進入所述P型體區(qū)鄰近所述多晶硅的表面，從而在所述P型體區(qū)鄰近所述多晶硅的表面形成N型源區(qū)，并且所述溝槽外側(cè)的多晶硅被氧化為位于所述N型源區(qū)上的二氧化硅；形成貫穿所述第一與第二溝槽兩側(cè)的二氧化硅及N型源區(qū)并延伸至所述P型體區(qū)中的接觸孔；形成正面金屬層與背面金屬。