一種高磁導率低渦流損耗絕緣粉末及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110471702.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113314326A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN113314326A 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01F41/02（2006.01）I;H01F1/147（2006.01）I;H01F1/24（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李偉健;段金柱;邢冰冰;蓋鵬祥;繆思敏 申請（專利權）人 天通控股股份有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 314412浙江省嘉興市海寧市鹽官鎮(zhèn)建設路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高磁導率低渦流損耗絕緣粉末及其制備方法。該粉末的原始合金組成物的原子比滿足下式：Fe100?x?ySixMy，其中M為Cr、Al、Co、Ni、Mo、B中的一種或幾種。該成分的配方具有較高的磁導率，制備方法包括熔煉、霧化制粉、漿料分散、霧化干燥、篩分、合批，其中霧化工序使用的高壓液體為具有優(yōu)秀的吸附性、絕緣性、熱穩(wěn)定性、增稠性、韌性的試劑溶液，通過二次霧化干燥，這些試劑可以有效的黏附在粉末表面，完成包覆工藝，提升粉末電阻率，進而降低粉末及產品的渦流損耗。本發(fā)明的優(yōu)點在于，將傳統(tǒng)水霧化制粉工藝與粉末鈍化工藝結合在一起，減少中間工藝與過程，大幅節(jié)約成本，且包覆效果良好、操作簡單，適應于粉末的批量生產。