一種自帶短路保護(hù)的功率MOSFET

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011419731.1 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN112531650A 公開(公告)日 2021-03-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN112531650A 申請(qǐng)公布日 2021-03-19
分類號(hào) H02H7/20(2006.01)I;H02H3/08(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 鐘任生 申請(qǐng)(專利權(quán))人 華羿微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 侯芳;郭永麗
地址 710018陜西省西安市未央?yún)^(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)草灘生態(tài)產(chǎn)業(yè)園尚稷路8928號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及功率MOSFET的技術(shù)領(lǐng)域,更具體的涉及一種自帶短路保護(hù)的功率MOSFET,其包括主功率管,其為雙源極功率MOSFET,所述雙源極功率MOSFET包括第一源極和第二源極;短路保護(hù)電路,其通過(guò)所述第二源極、雙源極功率MOSFET的柵極與所述雙源極功率MOSFET連接;其中,所述第一源極為雙源極功率MOSFET向外引出的源極。本發(fā)明在主功率管的源極和柵極連接短路保護(hù)電路,其采用的短路保護(hù)電路能快速切斷主功率管的柵極的驅(qū)動(dòng)電流,極大地提高了安全性能。??