一種MOSFET器件及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011220096.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112234103A 公開（公告）日 2021-01-15
申請公布號 CN112234103A 申請公布日 2021-01-15
分類號 H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 完顏文娟;袁力鵬;范瑋;常虹 申請（專利權(quán)）人 華羿微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 華羿微電子股份有限公司
地址 710018陜西省西安市未央?yún)^(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)草灘生態(tài)產(chǎn)業(yè)園尚稷路8928號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MOSFET器件及制備方法，涉及半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域。用于解決現(xiàn)有MOSFET外圍耐壓存在可靠性較差和外圍耐壓較弱的問題。包括：有源區(qū)溝槽，外圍溝槽，第一導(dǎo)電類型漂移層、第一導(dǎo)電類型體區(qū)和第二導(dǎo)電類型源區(qū)；所述第一導(dǎo)電類型漂移層上設(shè)置所述有源區(qū)溝槽和外圍溝槽；所述有源區(qū)溝槽之間、所述有源區(qū)溝槽與所述外圍溝槽之間設(shè)置所述第二導(dǎo)電類型源區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型源區(qū)的底部與所述第一導(dǎo)電類型體區(qū)的上表面相接觸；所述外圍溝槽內(nèi)的SAC氧化層的厚度大于所述柵極氧化層的厚度。??