一種TrenchMOS器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021493210.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212587513U | 公開（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212587513U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-23 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 唐呈前;李生龍;袁力鵬;常虹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 華羿微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 黨娟娟;郭永麗 |
| 地址 | 710018陜西省西安市未央?yún)^(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)草灘生態(tài)產(chǎn)業(yè)園尚稷路8928號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種Trench MOS器件，涉及半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域。用于提高Trench MOS器件的擊穿電壓和抗沖擊能力，并能降低柵漏極間電容。包括：外延層，柵極溝槽和外圍分壓溝槽；所述外延層上設(shè)置所述柵極溝槽和所述外圍分壓溝槽；所述柵極溝槽從下至上分為柵極溝槽底部區(qū)域和柵極溝槽側(cè)壁區(qū)域，所述柵極溝槽底部區(qū)域的底面與襯底層上表面之間的距離小于阱區(qū)層的底面與襯底層上表面之間的距離；所述柵極溝槽底部區(qū)域從外至內(nèi)依次包括柵極氧化層、犧牲氧化層、第二氧化層和多晶硅層或氮化硅層；所述柵極溝槽側(cè)壁區(qū)域從外至內(nèi)包括柵極氧化層和多晶硅層。?? |
