一種氫等離子法硅烷合成塔
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201721102269.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN207294192U | 公開（公告）日 | 2018-05-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN207294192U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-05-01 |
| 分類號(hào) | C01B33/04 | 分類 | 無(wú)機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 許文;吳延煒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 惟盈投資管理有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都眾恒智合專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王育信 |
| 地址 | 610000 四川省成都市武侯區(qū)人民南路四段28號(hào)22棟1單元10號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種氫等離子法硅烷合成塔，包括殼體和等離子發(fā)生器；所述殼體內(nèi)從上往下依次設(shè)為等離子發(fā)生區(qū)、硅烷合成區(qū)、噴氫急冷區(qū)、噴液急冷區(qū)和氣液分離區(qū)，且硅烷合成區(qū)與噴氫急冷區(qū)之間還設(shè)有內(nèi)徑從上往下逐漸增大的合成尾氣出口；所述等離子發(fā)生器設(shè)置在等離子發(fā)生區(qū)內(nèi)，所述等離子發(fā)生區(qū)側(cè)面設(shè)有原料氫氣入口；所述硅烷合成區(qū)側(cè)面設(shè)有原料硅粉入口；所述噴氫急冷區(qū)側(cè)面均勻設(shè)有若干冷態(tài)氫氣噴入口；所述噴液急冷區(qū)底部側(cè)面設(shè)有多個(gè)冷液入口，噴液急冷區(qū)內(nèi)部均勻設(shè)有多組噴液管；所述氣液分離區(qū)側(cè)面上方設(shè)有合成氣出口，氣液分離區(qū)下方設(shè)為液體出口。該合成塔設(shè)計(jì)合理，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，合成效果好。 |
