降低導(dǎo)通電阻的功率晶體管結(jié)構(gòu)及制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110727519.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113471279A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN113471279A 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;葉鵬;周錦程;劉晶晶;楊卓 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫新潔能股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市興為專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 214000江蘇省無(wú)錫市高浪東路999號(hào)B1號(hào)樓2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種降低導(dǎo)通電阻的功率晶體管結(jié)構(gòu)，包括：第一導(dǎo)電類型硅襯底，在第一導(dǎo)電類型硅襯底的上方設(shè)有第一導(dǎo)電類型硅外延，在所述第一導(dǎo)電類型硅外延內(nèi)設(shè)有有源區(qū)與終端區(qū)；在終端區(qū)第一導(dǎo)電類型硅外延表面的場(chǎng)氧層的上方設(shè)有柵極總線多晶硅，所述柵極總線多晶硅的上方設(shè)有絕緣介質(zhì)層，在終端區(qū)所述絕緣介質(zhì)層的上方設(shè)有柵極總線金屬，所述柵極總線金屬通過(guò)絕緣介質(zhì)層內(nèi)的第三通孔與柵極總線多晶硅歐姆接觸。本申請(qǐng)通過(guò)將柵極總線金屬安置在終端區(qū)，能夠提高屏蔽柵溝槽型晶體管有源區(qū)內(nèi)的有效的導(dǎo)電面積，能夠降低器件的導(dǎo)通電阻，并提高器件的電流均勻性。