高可靠的碳化硅MOSFET器件及其工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110274452.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113066867A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113066867A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;黃薛佺;楊卓 申請（專利權）人 無錫新潔能股份有限公司
代理機構 無錫市興為專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 214000 江蘇省無錫市高浪東路999號B1號樓2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高可靠的碳化硅MOSFET器件，包括N+型漏極06和漏極金屬09，在N+型漏極06上設有N型外延層04作為MOSFET器件的漂移區(qū)，在N型外延層04上方設有兩個P型體區(qū)03，在P型體區(qū)03內設有N+型源極02，在N+型源極02外側設有P+型源極01，在N型外延層04表面還設有柵極氧化層10，柵極氧化層10起始并終于兩個相鄰的N+型源極02上方，柵極氧化層10上方設有柵極多晶硅05，N+型源極02和P+型源極01表面還設有源極金屬08，源極金屬08和柵極多晶硅05之間設有絕緣介質層07隔離；P型體區(qū)03由兩次P型注入形成，第一P型體區(qū)03a的結深比第二P型體區(qū)03b的結深淺，且第一P型體區(qū)03a的注入寬度大于第二P型體區(qū)03b的注入寬度。提升了SiC器件的短路能力。