溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110534213.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113314589A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN113314589A 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;葉鵬;周錦程;王根毅;周永珍 申請（專利權(quán)）人 無錫新潔能股份有限公司
代理機構(gòu) 無錫市興為專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 214000江蘇省無錫市高浪東路999號B1號樓2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制造方法。該器件包括基底層；柵極結(jié)構(gòu)，其形成于柵區(qū)中，從基底層的上表面向下延伸；每個柵極結(jié)構(gòu)均包括柵部和柵總線部，與柵部交界的柵總線部的邊緣形成柵連接部，每個柵極結(jié)構(gòu)的柵連接部均延伸至連接相鄰的柵極結(jié)構(gòu)；依次連接的柵連接部將有源區(qū)分為柵總線區(qū)和其他有源區(qū)；終端保護結(jié)構(gòu)，其形成于終端環(huán)區(qū)中；互連層，其包括柵極互連層和源互連層，柵極互連層覆蓋在柵總線區(qū)上，與柵總線部歐姆接觸；源互連層覆蓋在其他有源區(qū)上，與源極結(jié)構(gòu)歐姆接觸；柵極互連層的邊緣與源互連層的邊緣之間相間隔。該方法用于形成上述器件結(jié)構(gòu)。