降低開關損耗的半導體器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110274169.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113066865A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113066865A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;黃薛佺;楊卓 申請（專利權）人 無錫新潔能股份有限公司
代理機構 無錫市興為專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 214000 江蘇省無錫市高浪東路999號B1號樓2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種降低開關損耗的半導體器件，包括漏極金屬，在漏極金屬上設有第一導電類型硅襯底，在第一導電類型硅襯底上設有第一導電類型外延層，在第一導電類型外延層內設有互相間隔的第一導電類型柱與第二導電類型柱，在第一導電類型柱和第二導電類型柱的表面設有第二導電類型體區(qū)，在第二導電類型體區(qū)內設有重摻雜第一導電類型源區(qū)和第二導電類型源區(qū)，第一導電類型源區(qū)和襯底金屬電連接，第二導電類型源區(qū)和源極金屬電連接，在第一導電類型柱內設有柵極溝槽；柵極溝槽內部設有分離的柵極多晶硅，第一柵極多晶硅位于溝槽表面，第二柵極多晶硅位于溝槽底部，第一柵極多晶硅和第二柵極多晶硅之間被氧化層隔離，第一柵極多晶硅和第二柵極多晶硅絕緣。器件開啟、關斷速度快。