屏蔽柵溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110702123.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113471278A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471278A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;葉鵬;朱晨凱;楊卓;周錦程;劉晶晶 申請（專利權(quán)）人 無錫新潔能股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市興為專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 214000江蘇省無錫市高浪東路999號B1號樓2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種屏蔽柵溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法。其中，器件包括基底層，基底層中形成有多條第一溝槽，相鄰兩條第一溝槽之間形成第二溝槽，第一溝槽從基底層的上表面向下延伸第一深度，第二溝槽從基底層的上表面向下延伸第二深度；第二深度小于第一深度；第一溝槽中形成有屏蔽電極和第一柵電極，屏蔽電極與第一柵電極之間、屏蔽電極與第一溝槽側(cè)壁之間、以及第一柵電極與第一溝槽的側(cè)壁之間均隔離有氧化層；第二溝槽中形成有第二柵電極，第二柵電極與第二溝槽的側(cè)壁之間隔離有氧化層；相鄰第一溝槽和第二溝槽之間的基底層上層形成源極結(jié)構(gòu)。方法用于制造上述器件。