半導(dǎo)體器件及制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110274455.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113066853A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113066853A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-02 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06;H01L27/02 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱袁正;周錦程;葉鵬;楊卓;劉晶晶 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 無(wú)錫新潔能股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫市興為專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 屠志力 |
| 地址 | 214000 江蘇省無(wú)錫市高浪東路999號(hào)B1號(hào)樓2層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，包括：P型襯底，在P型襯底上設(shè)有N型摻雜外延層，在N型摻雜外延層上設(shè)有高壓區(qū)和低壓區(qū)，在高壓區(qū)與低壓區(qū)之間設(shè)有高低壓結(jié)終端區(qū)，在低壓區(qū)和高低壓結(jié)終端區(qū)之間設(shè)有第一P型隔離柱，在高壓區(qū)和高低壓結(jié)終端區(qū)之間設(shè)有第二P型隔離柱，在第一P型隔離柱上連接第二P型隔離柱，所述第一P型隔離柱和第二P型隔離柱形成一個(gè)或多個(gè)封閉區(qū)域，高壓器件設(shè)置在所述封閉區(qū)域中。所述高壓器件為JFET器件、LDMOS器件、LIGBT器件、功率二極管器件中的一種或多種。本發(fā)明提高了芯片面積的利用率，從而降低了集成電路的成本。 |
