溝槽功率半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022828844.9 申請日 -
公開（公告）號 CN213905364U 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN213905364U 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;廖周林;周錦程;王根毅;周永珍 申請（專利權(quán)）人 無錫新潔能股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;涂三民
地址 214131江蘇省無錫市濱湖區(qū)高浪東路999號（與華清路交叉口）無錫（濱湖）國家信息傳感中心-B1樓東側(cè)2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種溝槽功率半導(dǎo)體器件，在漏極金屬上設(shè)有第一導(dǎo)電類型襯底、第一導(dǎo)電類型外延層，在第一導(dǎo)電類型外延層上設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)與第二導(dǎo)電類型阱區(qū)，在第二導(dǎo)電類型體區(qū)內(nèi)開設(shè)有第一類溝槽，在第二導(dǎo)電類型阱區(qū)內(nèi)開設(shè)有第二類溝槽，所述第二類溝槽圍繞所述第一類溝槽設(shè)置，所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)的濃度峰值大于第二導(dǎo)電類型阱區(qū)的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)的濃度峰值，本實(shí)用新型能夠提高功率半導(dǎo)體器件的終端耐壓，提高功率半導(dǎo)體器件的可靠性。