碳化硅MOSFET器件及其工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110274425.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113066866A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113066866A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;黃薛佺;楊卓 申請（專利權(quán)）人 無錫新潔能股份有限公司
代理機構(gòu) 無錫市興為專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 214000 江蘇省無錫市高浪東路999號B1號樓2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種碳化硅MOSFET器件，包括高濃度N型漏極及漏極金屬，在所述高濃度N型漏極上設(shè)有N型外延層作為MOSFET器件的漂移區(qū)，在所述N型外延層上方設(shè)有間隔的P型體區(qū)，在所述P型體區(qū)內(nèi)設(shè)有高濃度的N型源極，在所述N型源極外側(cè)設(shè)有高濃度的第一P型源極，在所述N型外延層表面還設(shè)有柵極氧化層，所述柵極氧化層起始并終于兩個相鄰的N型源極上方，所述柵極氧化層上方設(shè)有柵極多晶硅，所述N型源極和第一P型源極表面還設(shè)有源極金屬，所屬源極金屬和柵極多晶硅之間設(shè)有絕緣介質(zhì)層隔離；所述P型體區(qū)和N型源極在Y方向上間隔向內(nèi)凹陷，且所述P型體區(qū)包圍N型源極，所述凹陷區(qū)域內(nèi)設(shè)有高濃度的第二P型源極。本發(fā)明提高了器件的短路能力。