快恢復功率MOSFET及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110908107.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113437137A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113437137A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;葉鵬;楊卓;周錦程;劉晶晶 申請（專利權）人 無錫新潔能股份有限公司
代理機構 無錫市興為專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)電騰路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種快恢復功率MOSFET，包括第一導電類型襯底，其上方設有第一導電類型外延層，在所述第一導電類型外延層表面設有溝槽，在所述溝槽的底部設有絕緣介質塊，在所述絕緣介質塊的上表面以及絕緣介質塊上方的溝槽的側壁設有場氧層，所述場氧層包裹著屏蔽柵多晶硅，在所述溝槽的頂部設有柵極多晶硅，所述柵極多晶硅與屏蔽柵多晶硅之間設有層間介質，所述柵極多晶硅與第一導電類型源區(qū)、第二導電類型體區(qū)、第一導電類型外延層相鄰，并通過柵氧層絕緣，本發(fā)明能夠降低反向恢復電荷，加快反向恢復，降低能量損耗，減小柵極震蕩效應。