一種半導(dǎo)體芯片單元加工的封裝方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011623649.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112838012A | 公開（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112838012A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號(hào) | H01L23/367(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 趙浩;張靜;陳博;黎載紅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海波匯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201613上海市松江區(qū)中辰路299號(hào)1幢103室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片單元加工的封裝方法，其特征在于，所述芯片單元加工的封裝方法包括以下流程：第一階段：先對(duì)材料進(jìn)貼膜，所述貼膜完成后通過(guò)磨削，研磨，化學(xué)機(jī)械拋光，干式拋光，電化學(xué)腐蝕等方法對(duì)硅片減薄，所述減薄完成后對(duì)硅片去膜，貼片切割；通過(guò)采用機(jī)械的方式對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行切割，所述烘培完成后，所述切割完成后對(duì)引腳進(jìn)行成型，本發(fā)明可對(duì)封裝過(guò)程進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)增加了檢測(cè)的步驟，避免發(fā)生成品制造完成后，產(chǎn)品不合格，而無(wú)法進(jìn)行修復(fù)的問(wèn)題出現(xiàn)，提高了芯片的成品率，同時(shí)增加了芯片的強(qiáng)度，同時(shí)通過(guò)采用的封裝方式能使得整個(gè)芯片封裝結(jié)構(gòu)得以提升，降低封裝翹曲和提高散熱效果。?? |
