一種低功率半導(dǎo)體元器件及其基本電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011623678.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112838471A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112838471A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號(hào) | H01S5/042(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 陳博;趙浩;張靜;黎載紅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海波匯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201613上海市松江區(qū)中辰路299號(hào)1幢103室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種低功率半導(dǎo)體元器件及其基本電路，包括半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板，具有大致矩形狀的主面，所述主面具有第一方向的第一邊以及與所述第一方向交叉的第二方向的第二邊，所述溝槽硅化物層至少部分嵌入所述半導(dǎo)體襯底，其電氣連接且接觸于所述溝槽硅化物層，其電氣連接至所述第一與第二晶體管的一個(gè)的柵極以及電氣連接至所述第一區(qū)域互連層，由一個(gè)或者多個(gè)晶體管復(fù)合而成的大功率發(fā)射極跟隨方式的晶體管組合，采用晶體管組合能再滿足大電流的要求下又能夠提供較低的發(fā)射極與集電機(jī)電壓差，由此帶來(lái)進(jìn)一步降低供電電源電壓的可能。?? |
