一種25Gbs高速調(diào)制DFB激光器芯片的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011618721.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN112864091A 公開(kāi)(公告)日 2021-05-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN112864091A 申請(qǐng)公布日 2021-05-28
分類號(hào) H01S5/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01S5/026(2006.01)I;H01L21/8252(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01S5/12(2021.01)I 分類 -
發(fā)明人 陳博;趙浩;張靜;黎載紅 申請(qǐng)(專利權(quán))人 上海波匯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201613上海市松江區(qū)中辰路299號(hào)1幢103室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種25Gbs高速調(diào)制DFB激光器芯片的制作方法,其特征在于,所述DFB激光器芯片的制作方法包括以下步驟:芯片設(shè)計(jì):在設(shè)計(jì)DFB激光器芯片是會(huì)通過(guò)多個(gè)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行設(shè)計(jì);圓晶生產(chǎn):先進(jìn)行光刻,然后對(duì)圓晶進(jìn)行加工,使其更圓晶達(dá)到規(guī)格,完成圓晶的初步加工,圓晶檢測(cè):通過(guò)針測(cè)的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測(cè),一般每個(gè)芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的,從而需要長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試,芯片封裝,將同種芯片內(nèi)核封裝為不同的形式,提高產(chǎn)品的能力,本發(fā)明通過(guò)優(yōu)先向?qū)FB激光器的精準(zhǔn)以及帶寬等方向進(jìn)行設(shè)計(jì),使其本裝置相較于傳統(tǒng)的裝置,能對(duì)激光位置進(jìn)行校準(zhǔn),使其本芯片可控制激光對(duì)其他物體進(jìn)行高精度的切割。??