同軸磁控濺射靶

基本信息

申請?zhí)?/td> CN93214070.X 申請日 -
公開（公告）號 CN2159398Y 公開（公告）日 1994-03-23
申請公布號 CN2159398Y 申請公布日 1994-03-23
分類號 C23C14/34 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 倪振中 申請（專利權(quán)）人 昆明航天科發(fā)鍍膜公司
代理機(jī)構(gòu) 云南省專利事務(wù)所 代理人 孫月紅
地址 650206云南省昆明市東郊八公里通宇301昆明物資站
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種可應(yīng)用于大面積基板上鍍裝飾性鉻膜和碳化鎢、超硬膜以及多元素材料混合膜的磁控濺射靶。它是由非磁性金屬基體(1)、磁體(2)、隔離片(3)、冷卻水管(4)組成。靶基體外層采用高硬度、高熔點(diǎn)金屬制做的靶環(huán)(5)，環(huán)狀套裝結(jié)構(gòu)，可通過移動(dòng)磁環(huán)位置來改變靶材的濺射部位，同時(shí)也便于更換有缺陷靶環(huán)，靶材利用率可提高至70％以上，為無污染鍍膜提供了一種適用于工業(yè)化生產(chǎn)的靶材。本實(shí)用新型具有刻蝕均勻度好，刻蝕面積大，沉積速度高，薄膜均勻度好，結(jié)構(gòu)簡單、易制做特點(diǎn)。