一種顯示基板的制備方法、顯示基板和顯示裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110298554.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113066802A | 公開(公告)日 | 2021-07-02 |
申請公布號(hào) | CN113066802A | 申請公布日 | 2021-07-02 |
分類號(hào) | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳亮;高錦成;錢海蛟;姜濤;劉澤旭;汪濤;趙立星;張冠永;柳泉洲;劉建濤 | 申請(專利權(quán))人 | 合肥京東方顯示技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京市鑄成律師事務(wù)所 | 代理人 | 王云紅;包莉莉 |
地址 | 230012安徽省合肥市新站區(qū)新站工業(yè)物流園內(nèi)A組團(tuán)E區(qū)15幢綜合樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本公開實(shí)施例提供一種顯示基板的制備方法,包括:在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)背離襯底基板的一側(cè)形成第二絕緣層;在第二絕緣層背離襯底基板的一側(cè)依次形成色阻層和第三絕緣層,第三絕緣層開設(shè)有第一過孔和第二過孔,第一過孔在襯底基板上的正投影與源漏金屬層在襯底基板上的正投影至少部分相交,第一過孔與第二絕緣層之間保留有色阻層和/或第三絕緣層,第二過孔暴露出第二絕緣層;采用刻蝕工藝對第一過孔位置和第二過孔位置進(jìn)行刻蝕,在第一過孔位置暴露出至少部分源漏金屬層,在第二過孔位置暴露出至少部分柵金屬層。本公開的技術(shù)方案,可以避免第一過孔位置的金屬過早暴露,防止第一過孔位置的金屬氧化嚴(yán)重,避免產(chǎn)品出現(xiàn)顯示不良。 |
