薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法、顯示裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110378794.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113113475A 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN113113475A 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L29/08（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/77（2017.01）I;G02F1/1362（2006.01）I;G02F1/1368（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪濤;高錦成;錢海蛟;陳亮;趙立星;劉澤旭;張瑞鋒;毛金翔;張冠永;陸文濤;姜濤 申請（專利權(quán)）人 合肥京東方顯示技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 解婷婷;曲鵬
地址 230012安徽省合肥市新站區(qū)新站工業(yè)物流園內(nèi)A組團E區(qū)15幢綜合樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法及顯示裝置。所述薄膜晶體管包括依次設(shè)置在基底上的柵電極、柵絕緣層、有源層、摻雜層和源漏電極層，其中所述柵絕緣層、有源層、摻雜層和源漏電極層通過同一次圖案化工藝形成，所述源漏電極層包括源電極和漏電極，在垂直基底方向上，所述薄膜晶體管包括源電極區(qū)、溝道區(qū)和漏電極區(qū)，所述摻雜層包括位于所述源電極區(qū)的源極摻雜層，以及位于所述漏電極區(qū)的漏極摻雜層，在所述源電極區(qū)，所述源極摻雜層在基底的正投影大于所述有源層在基底的正投影；在所述漏電極區(qū)，所述漏極摻雜層在基底的正投影大于所述有源層在基底的正投影?？梢韵捎诎雽?dǎo)體拖尾造成的水波紋不良。