改善金剛石/鎂復(fù)合電子封裝材料界面結(jié)合的鍍層及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810971603.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109321882A 公開（公告）日 2019-02-12
申請公布號 CN109321882A 申請公布日 2019-02-12
分類號 C23C14/24;C23C14/18;C22C26/00;C22C1/05;C22C1/10;C22C28/00 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鄒宏輝;溫軍國;史學棟;陳東旭;陳松;馬志新;任思遠 申請（專利權(quán)）人 北京有研特材科技有限公司
代理機構(gòu) 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳波
地址 361100 福建省廈門市廈門火炬高新區(qū)同集園同源路327號、329號、331號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了屬于材料冶金技術(shù)領(lǐng)域的改善金剛石/鎂復(fù)合電子封裝材料界面結(jié)合的鍍層及方法。所述鍍層包括35.0～45.0wt.％鋯、余量釔，具體利用蒸鍍在金剛石顆粒表面鍍上0.1μm～0.2μm的鋯釔合金鍍層，從而大幅改善金剛石/鎂復(fù)合材料界面結(jié)合狀態(tài)，顯著提高金剛石/鎂電子封裝材料熱導(dǎo)率，并提高了兩者界面結(jié)合的高溫與室溫強度。