一種80-150kg寶石單晶的自動生長控制方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201510113649.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN104775152A | 公開(公告)日 | 2015-07-15 |
申請公布號 | CN104775152A | 申請公布日 | 2015-07-15 |
分類號 | C30B17/00(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 羅仁輝;秦英謖;馬中琦;楊明超 | 申請(專利權)人 | 內蒙古京晶光電科技有限公司 |
代理機構 | 包頭市專利事務所 | 代理人 | 莊英菊 |
地址 | 014030 內蒙古自治區(qū)包頭市青山區(qū)裝備制造園區(qū)新北區(qū)新北路15號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種寶石單晶生長控制方法,特別是涉及一種80-150kg寶石單晶的自動生長控制方法。該方法解決了藍寶石單晶生長在熱場主降溫區(qū)域不能隨生長面主散熱區(qū)域移動的問題。本發(fā)明利用二段式熱場,設置上、下加熱器功率降速比例因數(shù)R的起始值、結束值以及自動控制時間T,比例因數(shù)R會在設定的時間T內通過PLC計算控制滿足方程R(T)=Acos(πT/600)+B,由R1逐漸轉變至R2。本方法通過自動控制上、下加熱器功率降速比例因數(shù)R,調節(jié)熱場的主要散熱溫區(qū),可完美配合晶體生長面的移動,同時調節(jié)溫度梯度更適合晶體生長,使得晶體產(chǎn)出量高,晶體良率高,由于主要散熱溫區(qū)一直配合著結晶潛熱生成區(qū)域,使得散熱順利,大幅降低生長周期。 |
