一種80?150kg寶石單晶的自動(dòng)生長(zhǎng)控制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510113649.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104775152B 公開（公告）日 2017-06-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN104775152B 申請(qǐng)公布日 2017-06-30
分類號(hào) C30B17/00;C30B29/20 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 羅仁輝;秦英謖;馬中琦;楊明超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古京晶光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 包頭市專利事務(wù)所 代理人 莊英菊
地址 014030 內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市青山區(qū)裝備制造園區(qū)新北區(qū)新北路15號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種寶石單晶生長(zhǎng)控制方法，特別是涉及一種80?150kg寶石單晶的自動(dòng)生長(zhǎng)控制方法。該方法解決了藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)在熱場(chǎng)主降溫區(qū)域不能隨生長(zhǎng)面主散熱區(qū)域移動(dòng)的問題。本發(fā)明利用二段式熱場(chǎng)，設(shè)置上、下加熱器功率降速比例因數(shù)R的起始值、結(jié)束值以及自動(dòng)控制時(shí)間T，比例因數(shù)R會(huì)在設(shè)定的時(shí)間T內(nèi)通過PLC計(jì)算控制滿足方程R（T）=Acos（πT/600）+B，由R1逐漸轉(zhuǎn)變至R2。本方法通過自動(dòng)控制上、下加熱器功率降速比例因數(shù)R，調(diào)節(jié)熱場(chǎng)的主要散熱溫區(qū)，可完美配合晶體生長(zhǎng)面的移動(dòng)，同時(shí)調(diào)節(jié)溫度梯度更適合晶體生長(zhǎng)，使得晶體產(chǎn)出量高，晶體良率高，由于主要散熱溫區(qū)一直配合著結(jié)晶潛熱生成區(qū)域，使得散熱順利，大幅降低生長(zhǎng)周期。