一種量子點及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011563056.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112680214A | 公開（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請公布號 | CN112680214A | 申請公布日 | 2021-04-20 |
| 分類號 | C09K11/02(2006.01)I;C09K11/88(2006.01)I | 分類 | 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用; |
| 發(fā)明人 | 趙治強;高曉斌;陰德賀 | 申請（專利權(quán)）人 | 北京北達聚邦科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 周淑歌 |
| 地址 | 102629北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地慶豐西路29號A區(qū)一層1101-3房間 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種量子點的制備方法，先制得ZnCdSe晶種后在其上生長ZnSe過渡層，然后依次包覆ZnSe殼層和ZnS殼層。本發(fā)明還公開了上述制備方法制得的量子點。本發(fā)明通過ZnSe過渡層的設(shè)置，鞏固核與殼層之間的聯(lián)系，有效控制核及各殼層之間的過渡，減小晶格之間的缺陷；通過脂肪酸抑制量子點中其他晶種的形成，從而控制量子點晶種的成分、大小與均一度，補加陰離子進行晶種的長大成核，形成表面具有ZnSe過渡層的量子點核結(jié)構(gòu)，之后依次外延生長ZnSe殼層和ZnS殼層，減小混晶結(jié)構(gòu)核各組分之間、核與殼之間的晶格應(yīng)力，制備的量子點可見光內(nèi)峰位可調(diào)、半峰寬窄、量子效率高。?? |
