一種電磁加熱設(shè)備的控制方法及裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110090035.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112911748A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112911748A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-04 |
| 分類(lèi)號(hào) | H05B6/06 | 分類(lèi) | 其他類(lèi)目不包含的電技術(shù); |
| 發(fā)明人 | 尹丹;李魏;張?zhí)靷?/td> | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 中山市合碩高品電器有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 佛山市名誠(chéng)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 盧志文 |
| 地址 | 528427 廣東省中山市南頭鎮(zhèn)建安路1號(hào)之二四層之一 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明具體涉及一種電磁加熱設(shè)備的控制方法及裝置，包括步驟如下：步驟1:控制單元MCU持續(xù)檢測(cè)晶體管IGBT的反向電壓Vce，并判斷反向電壓Vce是否高于保護(hù)電壓閾值Vdet；步驟2:反向電壓Vce處于正常范圍，控制單元MCU不處理；步驟3:反向電壓Vce高于保護(hù)電壓閾值Vdet，控制單元MCU立即開(kāi)啟IGBT的控制輸出信號(hào)；步驟4:反向電壓Vce在之前的控制后，那么在IGBT關(guān)閉后，如果反向電壓Vce又繼續(xù)開(kāi)始上升，晶體管IGBT保護(hù)電壓閾值Vdet，控制單元MCU再次開(kāi)啟IGBT的控制輸出信號(hào)；步驟5:反向電壓Vce低于晶體管IGBT保護(hù)電壓閾值Vdet后，停止下一個(gè)開(kāi)關(guān)周期的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。本發(fā)明的有益效果是：控制單元MCU通過(guò)檢測(cè)反向電壓Vce而開(kāi)啟晶體管IGBT的控制輸出信號(hào)，達(dá)到保護(hù)晶體管IGBT的目的。 |
