過(guò)渡塊及光芯片封裝基座

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110395252.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113206065A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN113206065A 申請(qǐng)公布日 2021-08-03
分類號(hào) H01L23/66（2006.01）I;H01S5/023（2021.01）I;H01S5/0232（2021.01）I;H01S5/024（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 章九林;寧亞茹;楊棟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市中興新地技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市碩法知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 尚振東
地址 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街道辦崗頭新地路1號(hào)中興新地工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種過(guò)渡塊及光芯片封裝基座，其中，一種過(guò)渡塊，包括SiC材料制成的塊本體，所述塊本體的正面設(shè)有信號(hào)返回路徑和微帶線路，所述塊本體的兩側(cè)分別設(shè)有金屬化固定槽，所述塊本體的背面為金錫背面。效率高，兼容性高，耦合性好，質(zhì)量可靠，良率高，成本低。本發(fā)明應(yīng)用于5G技術(shù)領(lǐng)域。