FLASH存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保護(hù)方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110533052.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113707206A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-11-26 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113707206A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-26 |
分類號(hào) | G11C16/34(2006.01)I | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
發(fā)明人 | 鄧玉良;殷中云;楊彬;莊偉堅(jiān);朱曉銳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳市國(guó)微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 鮑竹 |
地址 | 518057廣東省深圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)高新南一道國(guó)微大廈 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種FLASH存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保護(hù)方法,所述FLASH存儲(chǔ)器包括多個(gè)FLASH存儲(chǔ)單元,所述方法包括:對(duì)各FLASH存儲(chǔ)單元進(jìn)行循環(huán)擦寫(xiě)測(cè)試,并記錄擦寫(xiě)次數(shù)和每次擦寫(xiě)的時(shí)長(zhǎng);根據(jù)循環(huán)擦寫(xiě)測(cè)試結(jié)果建立各FLASH存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)磨損函數(shù);根據(jù)各數(shù)據(jù)磨損函數(shù)分別建立數(shù)據(jù)磨損查找表,并將各所述數(shù)據(jù)磨損查找表存進(jìn)相應(yīng)的FLASH存儲(chǔ)單元中;在對(duì)各FLASH存儲(chǔ)單元擦寫(xiě)時(shí)記錄擦寫(xiě)次數(shù),并與其自身的數(shù)據(jù)磨損查找表進(jìn)行對(duì)照評(píng)估數(shù)據(jù)磨損程度,將數(shù)據(jù)從高磨損的FLASH存儲(chǔ)單元轉(zhuǎn)移到低磨損的FLASH存儲(chǔ)單元。本發(fā)明通過(guò)預(yù)估FLASH存儲(chǔ)單元的磨損程度,提前將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到低磨損的FLASH存儲(chǔ)單元,保證了數(shù)據(jù)的安全。 |
