FLASH存儲器的數(shù)據(jù)保護(hù)方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110533052.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113707206A 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN113707206A 申請公布日 2021-11-26
分類號 G11C16/34（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 鄧玉良;殷中云;楊彬;莊偉堅(jiān);朱曉銳 申請（專利權(quán)）人 深圳市國微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鮑竹
地址 518057廣東省深圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)高新南一道國微大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種FLASH存儲器的數(shù)據(jù)保護(hù)方法，所述FLASH存儲器包括多個(gè)FLASH存儲單元，所述方法包括：對各FLASH存儲單元進(jìn)行循環(huán)擦寫測試，并記錄擦寫次數(shù)和每次擦寫的時(shí)長；根據(jù)循環(huán)擦寫測試結(jié)果建立各FLASH存儲單元的數(shù)據(jù)磨損函數(shù)；根據(jù)各數(shù)據(jù)磨損函數(shù)分別建立數(shù)據(jù)磨損查找表，并將各所述數(shù)據(jù)磨損查找表存進(jìn)相應(yīng)的FLASH存儲單元中；在對各FLASH存儲單元擦寫時(shí)記錄擦寫次數(shù)，并與其自身的數(shù)據(jù)磨損查找表進(jìn)行對照評估數(shù)據(jù)磨損程度，將數(shù)據(jù)從高磨損的FLASH存儲單元轉(zhuǎn)移到低磨損的FLASH存儲單元。本發(fā)明通過預(yù)估FLASH存儲單元的磨損程度，提前將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到低磨損的FLASH存儲單元，保證了數(shù)據(jù)的安全。