一種基于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的SoC存儲(chǔ)系統(tǒng)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911154402.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110968544B | 公開(公告)日 | 2021-10-08 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110968544B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-08 |
分類號(hào) | G06F15/78(2006.01)I | 分類 | 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù); |
發(fā)明人 | 劉冬生;劉星杰;盧楷文;張聰;劉波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 浙江馳拓科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 華中科技大學(xué)專利中心 | 代理人 | 李智 |
地址 | 430074湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的SoC存儲(chǔ)系統(tǒng),包括:存儲(chǔ)器控制模塊、eSTT?MRAM;所述存儲(chǔ)器控制模塊用于分別采用三組存儲(chǔ)器控制信號(hào)對(duì)eSTT?MRAM進(jìn)行取指、讀寫和程序下載操作,完成對(duì)eSTT?MRAM的時(shí)分復(fù)用;所述eSTT?MRAM用于使電流極化形成自旋電流,并通過自旋電流中的自旋電子將自旋矩傳遞給自由層的磁矩,使其依據(jù)自旋電流的方向而發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)寫入信息“0”或“1”,存儲(chǔ)速度快。通過將eSTT?MRAM劃分為更多的功能區(qū),將不同類型的傳統(tǒng)存儲(chǔ)器在SoC中執(zhí)行的功能集中在一片eSTT?MRAM上,實(shí)現(xiàn)功能更復(fù)雜的單一存儲(chǔ)系統(tǒng),大大提高了系統(tǒng)的存儲(chǔ)速度,減小了存儲(chǔ)系統(tǒng)的面積。 |
