MRAM存儲器單元、陣列及存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810687747.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110660435B 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN110660435B 申請公布日 2021-09-21
分類號 G11C16/06（2006.01）I;G11C16/08（2006.01）I;G11C16/24（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 何世坤;竹敏;韓谷昌 申請（專利權(quán)）人 浙江馳拓科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京蘭亭信通知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙永剛
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1500號1幢311
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MRAM存儲器單元、陣列及存儲器，存儲器單元包括：兩個垂直堆疊的磁隧道結(jié)、選擇器元件以及晶體管，其中，兩個所述磁隧道結(jié)之間布置有隔離層，每個所述磁隧道結(jié)的參考層靠近所述隔離層布置，每個所述磁隧道結(jié)的自由層外側(cè)各布置有一條自旋軌道矩提供線，所述選擇器元件的兩端通過金屬連接層連接至兩條所述自旋軌道矩提供線，所述晶體管的漏極與任意一條所述自旋軌道矩提供線的靠近所述選擇器元件的一端連接；兩條所述自旋軌道矩提供線的靠近所述磁隧道結(jié)的一端各自引出一個用于連接位線的端點，所述晶體管的柵極引出一個用于連接字線的端點，所述晶體管的源極引出一個用于連接源線的端點。本發(fā)明能夠提高存儲器的存儲密度。