基于氮化物L(fēng)ED陣列的無間隙微顯示器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610498641.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106024825A 公開（公告）日 2016-10-12
申請公布號 CN106024825A 申請公布日 2016-10-12
分類號 H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;G09F9/33(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張希娟;張思易 申請（專利權(quán)）人 上海君萬微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 南京匯盛專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海君萬微電子科技有限公司
地址 200000 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)郭守敬路351號2號樓A682-01室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了基于氮化物L(fēng)ED陣列的無間隙微顯示器，包括基底和設(shè)置在基底上呈陣列排布的多個μLED單元，每個μLED單元包括由近及遠依次設(shè)置在基底上的N型層、發(fā)射層和P型層，呈陣列排布的相鄰μLED單元之間設(shè)有離子隔離柵；所述離子隔離柵的深度到達N型層底端。本發(fā)明提供的基于氮化物L(fēng)ED陣列的無間隙微顯示器通過離子隔離柵將各個μLED單元隔離，不會導(dǎo)致μLED陣列中相鄰像素之間的相互干擾而產(chǎn)生串?dāng)_現(xiàn)象，進而可提高氮化物μLED陣列微型顯示器的對比度和分辨率，還能實現(xiàn)更少的表面損傷和更高的收益。