一種LED微顯示陣列倒裝芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201621168138.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN206134728U 公開(kāi)（公告）日 2017-04-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN206134728U 申請(qǐng)公布日 2017-04-26
分類(lèi)號(hào) H01L33/58(2010.01)I;H01L25/13(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 石素君;許鍵;張雪峰 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海君萬(wàn)微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京匯盛專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海君萬(wàn)微電子科技有限公司
地址 200000 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)郭守敬路351號(hào)2號(hào)樓A682-01室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種LED微顯示陣列倒裝芯片，包括襯底、陣列蝕刻在襯底上的多個(gè)凹槽、填充在凹槽中的透明薄膜層和設(shè)于襯底上的LED微像素陣列，各LED微像素和凹槽一一對(duì)應(yīng)；所述透明薄膜層的折射率>2.3，對(duì)藍(lán)光或綠光的透過(guò)率>97％；各LED微像素包括依次沉積在襯底上的N型GaN層、多量子阱層和P型GaN層；各LED微像素的N型GaN層連為一體形成共陰極，其上沉積有N電極金屬接觸層；各LED微像素的P型GaN層作為獨(dú)立的陽(yáng)極，其上沉積有P電極金屬接觸層；其中，P型GaN層和P電極金屬接觸層之間還設(shè)有一反射層。本實(shí)用新型LED微顯示陣列倒裝芯片減少了像素單元之間出光的干擾，提升了LED微顯示陣列的分辨率。