基于III?V族氮化物半導體的LED全彩顯示器件結構及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611263484.4 申請日 -
公開（公告）號 CN106876406A 公開（公告）日 2017-06-20
申請公布號 CN106876406A 申請公布日 2017-06-20
分類號 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I;G09G3/32(2016.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張希娟 申請（專利權）人 上海君萬微電子科技有限公司
代理機構 上海光華專利事務所 代理人 張希娟;上海君萬微電子科技有限公司
地址 226019 江蘇省南通市崇川區(qū)中南世紀花城18#1203
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于III?V族氮化物半導體的LED全彩顯示器件結構及制備方法，包括：有源矩陣驅動硅基背板，包括若干個驅動單元；LED微像素陣列，位于有源矩陣驅動硅基背板表面，包括若干個LED微像素；各LED微像素均包括發(fā)光材料層及陽極，各LED微像素的陽極分別與與其對應的驅動單元的陽極相連接；發(fā)光材料層位于LED微像素的陽極表面；第一導電類型III?V族氮化物層，位于各LED微像素的發(fā)光材料層表面，且將各LED微像素相連接；彩色顯示所需的顏色轉換膜，位于第一導電類型的III?V族氮化物層表面。各LED微像素及各顏色轉換膜均通過厚度很小的第一導電類型III?V族氮化物層相連接，既可以縮小相鄰LED微像素的間距，以提高分辨率，又可以降低相鄰顏色轉換膜之間的串擾。