一種LED微顯示陣列倒裝芯片及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610631000.0 申請日 -
公開（公告）號 CN106206605A 公開（公告）日 2016-12-07
申請公布號 CN106206605A 申請公布日 2016-12-07
分類號 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 石素君;許鍵;張雪峰 申請（專利權(quán)）人 上海君萬微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 南京匯盛專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 吳靜安;趙超
地址 200000 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)郭守敬路351號2號樓A682-01室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種LED微顯示陣列倒裝芯片及制作方法，該倒裝芯片包括襯底、陣列蝕刻在襯底上的多個凹槽、填充在凹槽中的透明薄膜層和設(shè)于襯底上的LED微像素陣列，各LED微像素和凹槽一一對應(yīng)；所述透明薄膜層的折射率>2.3，對藍光或綠光的透過率>97%。各LED微像素包括依次沉積在襯底上的N型GaN層、多量子阱層和P型GaN層，各LED微像素陣列的N型GaN層連為一體，形成一個共陰極，其上沉積有N電極金屬接觸層；LED微像素區(qū)P型GaN層上沉積有P電極金屬接觸層。本發(fā)明LED微顯示陣列倒裝芯片通過在襯底上沉積高折射率透明薄膜層材料，實現(xiàn)了發(fā)光層光源的更好匯聚，解決了光進入低折射率藍寶石襯底后會發(fā)散的問題，減少了像素單元之間出光的干擾，提升了LED微顯示陣列的分辨率。