一種提升p型GaN摻雜濃度的外延結(jié)構(gòu)的制備方法及結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910534586.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110246753B 公開（公告）日 2021-07-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN110246753B 申請(qǐng)公布日 2021-07-13
分類號(hào) H01L21/02;H01L29/20;H01L29/207 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李仕強(qiáng);王東盛;李亦衡;張葶葶;朱廷剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王樺
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮(zhèn)福新路2號(hào)B12幢（能華微電子）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種提升p型GaN摻雜濃度的外延結(jié)構(gòu)的制備方法，包括在襯底上生長(zhǎng)緩沖層，在所述的緩沖層上生長(zhǎng)p型GaN層，在生長(zhǎng)所述的p型GaN層時(shí)，摻入活化劑，所述的活化劑為In和/或Al，所述的活化劑的摩爾流量為10~300umol/min。一種提升p型GaN摻雜濃度的外延結(jié)構(gòu)，其由所述的制備方法制得。本發(fā)明在生長(zhǎng)p型GaN時(shí)引入活化劑，使得在提升p型GaN摻雜濃度的同時(shí)又能保證p型GaN的質(zhì)量不受影響，可以獲得摻雜濃度至少為2e18/cm?3的p型GaN結(jié)構(gòu)。