一種GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法及器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011506761.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112635555A 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN112635555A 申請公布日 2021-04-09
分類號 H01L29/778;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李亦衡;武樂可;夏遠(yuǎn)洋;黃克強(qiáng);朱友華;朱廷剛 申請（專利權(quán)）人 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王樺
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮(zhèn)福新路2號B12幢（能華微電子）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種GaNHEMT器件中選擇性去除GaN的方法，包括形成外延結(jié)構(gòu)，在p?GaN層上沉積鈍化層，對鈍化層進(jìn)行蝕刻，僅保留用于形成柵極的p?GaN區(qū)域上方的鈍化區(qū)域，對p?GaN層的進(jìn)行熱分解，直至除p?GaN區(qū)域以外的所有p?GaN層完全去除。一種器件，其包括由GaNHEMT器件中選擇性去除GaN的方法形成的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的方法通過熱分解將GaN完全去除后，下面的AlGaN“停止”層保持不受損，從而保持二維電子氣（2DEG）完整性，提升了器件的性能和質(zhì)量。