一種T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對(duì)準(zhǔn)方法及器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011500532.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112614777A | 公開（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112614777A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-06 |
| 分類號(hào) | H01L21/28(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李亦衡;黃克強(qiáng);劉曉鵬;沈峰;王強(qiáng);朱廷剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 王樺 |
| 地址 | 215600江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮(zhèn)福新路2號(hào)B12幢(能華微電子) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對(duì)準(zhǔn)方法，包括成型導(dǎo)體/半導(dǎo)體層、沉積電介質(zhì)層，在電介質(zhì)層上形成第一光刻膠層、第二光刻膠層，第一光刻膠層的光敏性高于第二光刻膠層，蝕刻形成柵極溝道開口，調(diào)整第二光刻膠層的厚度、開口形狀，沉積金屬導(dǎo)體，剝離第一光刻膠層、第二光刻膠層以及位于第二光刻膠層上的金屬導(dǎo)體。一種器件，其包括由T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對(duì)準(zhǔn)方法形成的柵極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明方法形成的柵極導(dǎo)體在電介質(zhì)上懸垂/延伸，實(shí)現(xiàn)了最終柵極導(dǎo)體相對(duì)于電介質(zhì)開口的自對(duì)準(zhǔn)，降低了柵極電阻（Rg）的同時(shí)也降低了寄生電容（Cgs/Cgd）。?? |
