一種在GaNHEMT器件中形成多功能p-GaN電極的方法及器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011500550.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112614778A 公開（公告）日 2021-04-06
申請公布號 CN112614778A 申請公布日 2021-04-06
分類號 H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李亦衡;武樂可;夏遠(yuǎn)洋;張葶葶;朱友華;朱廷剛 申請（專利權(quán)）人 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王樺
地址 215600江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮(zhèn)福新路2號B12幢(能華微電子)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種在GaN HEMT器件中形成多功能p?GaN電極的方法，包括形成外延結(jié)構(gòu)，使二維電子氣完全耗盡，對p?GaN層進(jìn)行蝕刻，保留用于形成柵極的p?GaN區(qū)域，使二維電子氣重新出現(xiàn)，沉積鈍化層，在注入電極的位置對鈍化層進(jìn)行蝕刻至勢壘層形成空穴，在空穴位置的勢壘層上生長附加勢壘層、p?GaN層，并保持二維電子氣不耗盡，形成柵極，形成源極、漏極，在p?GaN層上注入電極，并使注入電極自動連接到漏極，在p?GaN區(qū)域處形成電介質(zhì)層。一種器件，由本發(fā)明方法形成。本發(fā)明可以適用于形成常開型GaN基MIS?HEMT，器件有效緩解“電流崩塌”問題，提高了器件整體性能。??