一種提升p型GaN摻雜濃度的外延結構的制備方法及結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910534586.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110246753A 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN110246753A 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L21/02;H01L29/20;H01L29/207 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李仕強;王東盛;李亦衡;張葶葶;朱廷剛 申請（專利權）人 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
代理機構 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 代理人 王樺
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮(zhèn)福新路2號B12幢（能華微電子）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種提升p型GaN摻雜濃度的外延結構的制備方法，包括在襯底上生長緩沖層，在所述的緩沖層上生長p型GaN層，在生長所述的p型GaN層時，摻入活化劑，所述的活化劑為In和/或Al，所述的活化劑的摩爾流量為10~300umol/min。一種提升p型GaN摻雜濃度的外延結構，其由所述的制備方法制得。本發(fā)明在生長p型GaN時引入活化劑，使得在提升p型GaN摻雜濃度的同時又能保證p型GaN的質(zhì)量不受影響，可以獲得摻雜濃度至少為2e18/cm?3的p型GaN結構。