一種SiC單晶晶向角度補償加工裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310671401.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103692301B 公開（公告）日 2016-01-20
申請公布號 CN103692301B 申請公布日 2016-01-20
分類號 B24B5/36(2006.01)I;B24B41/06(2012.01)I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 王英民;李斌;徐偉;毛開禮;周立平;王利忠;侯曉蕊;戴鑫;郝唯佑;田牧 申請（專利權(quán)）人 山西爍科新材料有限公司
代理機構(gòu) 山西科貝律師事務(wù)所 代理人 中國電子科技集團公司第二研究所
地址 030024 山西省太原市和平南路115號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SiC單晶晶向角度補償加工裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)的平面磨床與外圓磨床之間轉(zhuǎn)換所帶來的加工成品率低以及加工效率低的問題。包括錐柄偏心盤、轉(zhuǎn)軸、壓緊環(huán)、偏心連接軸、基座。錐柄偏心盤通過轉(zhuǎn)軸與偏心連接軸相連，利用壓緊環(huán)將偏心連接軸與錐柄偏心盤相互固定，保證偏心連接軸和錐柄偏心盤緊密配合，再利用外圓磨床切削SiC晶體原生表面時二者不發(fā)生相對轉(zhuǎn)動，基座通過粘接劑可與晶體固定，將粘好晶體的基座通過銷子固定于偏心連接軸的凹槽內(nèi)，最后根據(jù)配套的計算方法可以完成SiC晶體滾圓和角度補償?shù)墓ぷ鳌Ｔ摪l(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，僅利用外圓磨床就可以完成SiC單晶滾圓和角度補償工作，有效提高加工成品率和加工效率。