無摻雜元素的高純半絕緣碳化硅晶體生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201521078544.6 申請日 -
公開（公告）號 CN205313717U 公開（公告）日 2016-06-15
申請公布號 CN205313717U 申請公布日 2016-06-15
分類號 C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王利忠;李斌;王英民;魏汝省;毛開禮;徐偉;戴鑫;馬康夫;周立平;付芬;田牧;侯曉蕊 申請（專利權(quán)）人 山西爍科新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 山西科貝律師事務(wù)所 代理人 中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所;山西爍科新材料有限公司
地址 030024 山西省太原市和平南路115號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種無摻雜元素的高純半絕緣碳化硅晶體生長裝置，解決了低雜質(zhì)的高純碳化硅晶體生產(chǎn)的難題。包括高純石墨坩堝（2），在高純石墨坩堝（2）的外側(cè)面上設(shè)置有石墨氈保溫層（7），在石墨氈保溫層（7）上分別設(shè)置有下測溫孔（8）和上測溫孔（9），在高純石墨坩堝（2）的內(nèi)腔頂部設(shè)置有石墨托（1），在石墨托（1）上設(shè)置有籽晶（4），在籽晶（4）上設(shè)置有生長后的碳化硅晶體（5），在高純石墨坩堝（2）的腔內(nèi)下部設(shè)置有SiC高純粉料（3），在石墨托（1）與高純石墨坩堝（2）的內(nèi)腔內(nèi)側(cè)壁之間設(shè)置有小孔（6）。本實(shí)用新型目的通過降低背景中的雜質(zhì)元素濃度來獲得高純碳化硅晶體。