具有單側接觸的半導體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110009090.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102315160A 公開（公告）日 2012-01-11
申請公布號 CN102315160A 申請公布日 2012-01-11
分類號 H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金裕松 申請（專利權）人 SK海力士半導體（中國）有限公司
代理機構 北京弘權知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 郭放;張文
地址 韓國京畿道
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種制造半導體器件的方法，包括：通過刻蝕襯底形成多個第一溝槽；形成覆蓋每個第一溝槽的兩個側壁的第一間隔件；通過刻蝕每個第一溝槽的底部形成多個第二溝槽；形成覆蓋每個第二溝槽的兩個側壁的第二間隔件；通過刻蝕每個第二溝槽的底部形成多個第三溝槽；形成覆蓋多個襯底的暴露出的表面的絕緣層；以及通過選擇性地去除第二間隔件形成暴露出每個第二溝槽的一個側壁的接觸。