用于制造半導(dǎo)體裝置的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010169713.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102054704A 公開（公告）日 2011-05-11
申請公布號 CN102054704A 申請公布日 2011-05-11
分類號 H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金煜;李相晤 申請（專利權(quán)）人 SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 魏金霞;田軍鋒
地址 韓國京畿道利川市
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法包括：使用硬掩模層作為阻障層來蝕刻半導(dǎo)體基片以形成限定出多個有源區(qū)域的溝槽；形成間隙填充層以對該溝槽內(nèi)側(cè)的一部分進行間隙填充，從而使該硬掩模層成為突起；形成覆蓋該突起的兩側(cè)的間隔壁；使用摻雜的蝕刻阻障層作為蝕刻阻障層來移除間隔壁中的一個；及使用剩余的間隔壁作為蝕刻阻障層來蝕刻該間隙填充層，以形成暴露出該有源區(qū)域的一側(cè)的側(cè)溝槽。